Samsung 870 EVO 250 GB Schwarz (MZ-77E250B/EU)
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Samsung
(MZ-77E250B/EU)
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ArtNr: 6951386
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GTIN: 8806090545931
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(2)
Kapazität
: 250 GB[Z3]\r\n[Z1]Formfaktor[Z2]2,5\"[Z3]\r\n[Z1]Schnittstelle[Z2]Schnittstelle SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s)[Z3]\r\n[Z1]Controller[Z2]Controller Samsung MKX Controller[Z3]\r\n[Z1]Flash-Speicher[Z2]Samsung V-NAND 3-Bit MLC[Z3]\r\n[Z1]DRAM-Cache-Speicher[Z2]512 MB LPDDR4[Z3]\r\n[Z1]Maße (L x B x T)[Z2]100 x 69,9 x 6,8 mm[Z3]\r\n[Z1]Gewicht[Z2]ca. 45 g[Z3]\r\n[Z1]Kompatibilität[Z2]Notebooks und PCs mit 2.5" -Steckplatz und SATA-Schnittstelle[Z3]\r\n[Z1][Z2][Z3]\r\n[Z1]Leistung[Z2][Z3]\r\n[Z1]Sequenzielle Lesegeschwindigkeit[Z2]bis zu 560 MB/s[Z3]\r\n[Z1]Intelligent TurboWrite-Puffergröße[Z2]3-12 GB[Z3]\r\n[Z1][Z2][Z3]\r\n[Z1]Energiebedarf (typisch)[Z2][Z3]\r\n[Z1]Idle (DIPM eingeschaltet)[Z2]35 mW[Z3]\r\n[Z1]Bei Aktivität durchschnittlich (Lesen)[Z2]2 W[Z3]\r\n[Z1]Bei Aktivität durchschnittlich (Schreiben)[Z2]2,2 W[Z3]\r\n[Z1]Device Sleep (DVSLP)[Z2]2,5 mW[Z3]\r\n[Z1][Z2][Z3]\r\n[Z1]Technische Merkmale[Z2][Z3]\r\n[Z1]Zulässige Spannung[Z2]5 V ± 5 %[Z3]\r\n[Z1]Betriebstemperatur[Z2]0 °C bis 70 °C[Z3]\r\n[Z1]Lagertemperatur[Z2]-45 °C bis 85 °C[Z3]\r\n[Z1]Feuchtigkeit[Z2]5 % bis 95 %, nicht kondensierend[Z3]\r\n[Z1]Stoßsicherheit[Z2]1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus)[Z3]\r\n[Z1]Vibration[Z2]20-2.000 Hz, 20 G[Z3]\r\n[Z1]Zuverlässigkeit (MTBF)[Z2]1,5 Mio. Stunden[Z3]\r\n[Z1]Spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge[Z2]150 Terabytes Written
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250 GB[Z3]\r\n[Z1]Formfaktor[Z2]2,5\"[Z3]\r\n[Z1]Schnittstelle[Z2]Schnittstelle SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s)[Z3]\r\n[Z1]Controller[Z2]Controller Samsung MKX Controller[Z3]\r\n[Z1]Flash-Speicher[Z2]Samsung V-NAND 3-Bit MLC[Z3]\r\n[Z1]DRAM-Cache-Speicher[Z2]512 MB LPDDR4[Z3]\r\n[Z1]Maße (L x B x T)[Z2]100 x 69,9 x 6,8 mm[Z3]\r\n[Z1]Gewicht[Z2]ca. 45 g[Z3]\r\n[Z1]Kompatibilität[Z2]Notebooks und PCs mit 2.5" -Steckplatz und SATA-Schnittstelle[Z3]\r\n[Z1][Z2][Z3]\r\n[Z1]Leistung[Z2][Z3]\r\n[Z1]Sequenzielle Lesegeschwindigkeit[Z2]bis zu 560 MB/s[Z3]\r\n[Z1]Intelligent TurboWrite-Puffergröße[Z2]3-12 GB[Z3]\r\n[Z1][Z2][Z3]\r\n[Z1]Energiebedarf (typisch)[Z2][Z3]\r\n[Z1]Idle (DIPM eingeschaltet)[Z2]35 mW[Z3]\r\n[Z1]Bei Aktivität durchschnittlich (Lesen)[Z2]2 W[Z3]\r\n[Z1]Bei Aktivität durchschnittlich (Schreiben)[Z2]2,2 W[Z3]\r\n[Z1]Device Sleep (DVSLP)[Z2]2,5 mW[Z3]\r\n[Z1][Z2][Z3]\r\n[Z1]Technische Merkmale[Z2][Z3]\r\n[Z1]Zulässige Spannung[Z2]5 V ± 5 %[Z3]\r\n[Z1]Betriebstemperatur[Z2]0 °C bis 70 °C[Z3]\r\n[Z1]Lagertemperatur[Z2]-45 °C bis 85 °C[Z3]\r\n[Z1]Feuchtigkeit[Z2]5 % bis 95 %, nicht kondensierend[Z3]\r\n[Z1]Stoßsicherheit[Z2]1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus)[Z3]\r\n[Z1]Vibration[Z2]20-2.000 Hz, 20 G[Z3]\r\n[Z1]Zuverlässigkeit (MTBF)[Z2]1,5 Mio. Stunden[Z3]\r\n[Z1]Spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge[Z2]150 Terabytes Written
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Produktbeschreibung
Die 870 EVO kombiniert die bewährte SSD-Technologie von Samsung mit fortschrittlichen Features. Sie zeichnet sich durch verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und Kompatibilität aus. So eignet sie sich für unterschiedliche Anwenderprofile und erfüllt die Anforderungen von Kreativen und Content-Produzenten über IT-Profis bis hin zu alltäglichen Nutzern gleichermaßen.
Hardware Information |
|
Kapazität |
250 GB |
Formfaktor |
2,5\" |
Schnittstelle |
Schnittstelle SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s) |
Controller |
Controller Samsung MKX Controller |
Flash-Speicher |
Samsung V-NAND 3-Bit MLC |
DRAM-Cache-Speicher |
512 MB LPDDR4 |
Maße (L x B x T) |
100 x 69,9 x 6,8 mm |
Gewicht |
ca. 45 g |
Kompatibilität |
Notebooks und PCs mit 2.5" -Steckplatz und SATA-Schnittstelle |
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|
Leistung |
|
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit |
bis zu 560 MB/s |
Intelligent TurboWrite-Puffergröße |
3-12 GB |
|
|
Energiebedarf (typisch) |
|
Idle (DIPM eingeschaltet) |
35 mW |
Bei Aktivität durchschnittlich (Lesen) |
2 W |
Bei Aktivität durchschnittlich (Schreiben) |
2,2 W |
Device Sleep (DVSLP) |
2,5 mW |
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Technische Merkmale |
|
Zulässige Spannung |
5 V ± 5 % |
Betriebstemperatur |
0 °C bis 70 °C |
Lagertemperatur |
-45 °C bis 85 °C |
Feuchtigkeit |
5 % bis 95 %, nicht kondensierend |
Stoßsicherheit |
1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus) |
Vibration |
20-2.000 Hz, 20 G |
Zuverlässigkeit (MTBF) |
1,5 Mio. Stunden |
Spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge |
150 Terabytes Written |