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Das TS512MSK64V1N ist ein Dual-Inline-Speichermodul, das für den Einbau in 204-polige Edge-Connector-Sockel vorgesehen ist. Das synchrone Design ermöglicht eine präzise Zyklussteuerung mit Hilfe des Systemtaktes. Daten-E/A-Transaktionen sind an beiden Flanken von DQS möglich. Verschiedene Betriebsfrequenzen und programmierbare Latenzen ermöglichen den Einsatz ein und desselben Bausteins für eine Vielzahl von Speichersystemanwendungen mit hoher Bandbreite und hoher Leistung.
Produktbeschreibung | Transcend Memory - 4 GB - SO-DIMM, 204-polig - DDR3 |
Speicherkapazität | 4 GB |
Erweiterungstyp | Generisch |
Technologie | DDR3 SDRAM |
Formfaktor | SO-DIMM, 204-polig |
Speichergeschwindigkeit | 1066 MHz |
Datenintegritätsprüfung | Nicht-ECC |
Latenzzeiten | CL7 |
Leistungsmerkmale | On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD) , ungepuffert |
Versorgungsspannung | 1.5 V |
Allgemein | |
Speicherkapazität | 4 GB |
Erweiterungstyp | Generisch |
Speicher | |
Typ | DRAM |
Technologie | DDR3 SDRAM |
Formfaktor | SO-DIMM, 204-polig |
Speichergeschwindigkeit | 1066 MHz |
Latenzzeiten | CL7 |
Datenintegritätsprüfung | Nicht-ECC |
RAM-Merkmale | On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD) , ungepuffert |
Modulkonfiguration | 512 x 64 |
Chip-Organisation | 256 x 8 |
Versorgungsspannung | 1.5 V |
Erweiterung / Konnektivität | |
Kompatible Steckplätze | Speicher - SO-DIMM, 204-polig |
Verschiedenes | |
Produktzertifizierungen | RoHS |