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  • Goodram W-MEM2666E4S88G Speichermodul 8 GB 1 x 8 GB DDR4 2666 MHz ECC (W-MEM2666E4S88G)

Goodram W-MEM2666E4S88G Speichermodul 8 GB 1 x 8 GB DDR4 2666 MHz ECC (W-MEM2666E4S88G)

  • GoodRam (W-MEM2666E4S88G)
  • ArtNr: 6454293
  • GTIN: 5908267941898
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Produktbeschreibung

Stabilität des System und Sicherheit der Arbeit, welche die Anwendung eines Speichers mit der Technologie ECC bietet, hat eine besondere Bedeutung im Bau der Computer aus der Gruppe Workstation und Server, in denen die ...

Stabilität des System und Sicherheit der Arbeit, welche die Anwendung eines Speichers mit der Technologie ECC bietet, hat eine besondere Bedeutung im Bau der Computer aus der Gruppe Workstation und Server, in denen die Arbeitsstabilität eines der Schlüsselelemente ist. Die Module können auch eine Industrie-Anwendung haben.
ECC-Funktion
Beim Verfahren des Informationsaustauschs, ist RAM den durch Interferenz bei der Arbeit verursachten Fehlern ausgesetzt, was dazu führen kann, dass Daten verloren gehen oder das System instabil werden kann. Eine zusätzliche Sicherheitsmaßnahme, also die Funktion Error Correction Code (ECC) wurde eingeführt, um Fehler aufzudecken und zu eliminieren. Die Funktion ECC hat keinen Einfluss auf sonstige Modulparameter.
Stabile Arbeit der Module
Die Funktion der Datenkorrektur ist nicht ausschließlich den Serverlösungen vorbehalten und bewährt sich auch im Fall der Standard-Hauptfestplatten mit AMD-Chipset. Zusätzliche Vorteile sind: Stabilität der Arbeit, Mechanismus der Daten-Überwachung und dank selektionierten Chips - die höchste Ausführungsqualität.
Qualität der Serverspeicher
Zu anderen Vorteilen des Speichers ECC gehören: stabile Arbeit, Mechanismus der Datenüberwachung und dank Anwendung der Methode der sorgfältigen Selektion der Speicherchips - die höchste Qualität der Ausführung und der Arbeit.

Hauptmerkmale

Merkmale
RAM-Speicher 8 GB
Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 8 GB
Interner Speichertyp DDR4
Speichertaktfrequenz 2666 MHz
Komponente für PC / Server
Memory Formfaktor 288-pin DIMM
ECC Ja
CAS Latenz 19
Speicherspannung 1.2 V
Modulkonfiguration 1024M x 8
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